半導体量子ナノ構造の分子線エピタキシー法による作製と物性の解明

分子線エピタキシー(MBE)法は超高真空下で結晶成長を行う手法で、急峻な界面の半導体量子井戸構造や量子ドット構造の作製が可能です。新しい機能を持つ半導体デバイスのための量子ナノ構造や新規な半導体材料による結晶成長の研究を行なっています。

半導体多層膜共振器構造による超高速光スイッチの創製

情報通信ネットワークのますますの高速大容量化を進めるうえで、超高速光デバイスが求められており、電子デバイスの動作速度を超える超高速全光デバイスの実現が期待されています。そのために、非線形光学応答の高効率化、超高速化を進めていくことが重要です。半導体多層膜共振器構造による内部光電場増強効果を用いた高効率非線形光学応答と量子ドットを用いた面型全光スイッチを提案し、その特性についての研究を行っています。

走査プローブ法によるナノ構造作製技術の開発

走査プローブ顕微鏡は、走査型トンネル顕微鏡(STM)にはじまり、原子間力顕微鏡(AFM)や近接場顕微鏡(SNOM)など多くの機能をもつ表面観測手段として発展しています。さらに、この走査プローブ法は表面観測にとどまらず、微細加工の手法としても注目を集めています。

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